Усилиями ученых-физиков из Тайваня и Великобритании создан мемристр – крохотный объект для хранения информации атомарных размеров. У нанопамяти производительность выше в 100 раз в сравнении с выпускаемыми устройствами флеш-памяти.
От теории к практике
Теоретические принципы работы мемристра были описаны Леоном Чуа еще в 1971 году, однако до недавнего времени вследствие определенных физических и технологических ограничений рабочего образца не существовало. Лет 10 назад специалисты компании Hewlett-Packard начали работы по практическому воплощению инновационной технологии. Однако коммерческого продукта до сих пор не представлено.
Недавно группа ученых разработала оптимальное сочетание материалов на микроуровне, которые позволяют в будущем производить устройства памяти для хранения информации. Хотя в экспериментах использовался дисульфид молибдена, можно применять и другие элементы. Физики как раз изучают, какие металлы и их производные лучше всего для этого подходят.
Смысл исследования в том, чтобы вакансию или дефект в кристаллической структуре вещества (в эксперименте применялся MoS2) заместил атом металла. Влияние данного атома приводит к изменению проводимости материала, то есть, его сопротивления.
Еще больше памяти
Минимальная площадь созданного устройства равняется одному квадратному нанометру. Как и во флеш-памяти, здесь используется энергонезависимое хранение данных. Однако предел масштабирования гораздо меньше, вплоть до размера атома.
Представленная версия мемристра позволяет создавать флешки и твердотельные накопители емкостью 25 Тбит на см2. Для сравнения: это на 1-2 порядка превосходит возможности современных флеш-технологий.
Хотя еще рано говорить о внедрении концепции в коммерческое производство, перспективы новой технологии ReRAM-памяти огромны. Они явно превышают возможности SSD-дисков.
