Транзистор КТ817Г: подробные характеристики и основные параметры
Транзистор КТ817Г - один из самых востребованных и универсальных транзисторов для ремонта и модернизации электронной техники. Давайте подробно рассмотрим его характеристики, параметры, особенности применения и аналоги.
Основные технические характеристики транзистора КТ817Г
КТ817Г - это кремниевый n-p-n транзистор, изготавливаемый по планарно-эпитаксиальной технологии. Он относится к серии мощных низкочастотных транзисторов КТ817 с рабочим напряжением до 100 В. Учитывая небольшие размеры, КТ817Г считается самым мощным в этой серии (ПК до 25 Вт).
Конструкция и маркировка выводов транзистора в разных типах корпусов
КТ817Г выпускается в двух типах пластмассовых корпусов:
- КТ-27 (ТО-126) - для монтажа в отверстия печатных плат
- КТ-89 (DPAK) - для поверхностного монтажа
Расположение выводов эмиттера (Э), коллектора (К) и базы (Б) зависит от типа корпуса:
| Корпус | Эмиттер | Коллектор | База |
| КТ-27 | 1-й вывод слева | Металлическая задняя стенка | 2-й вывод слева |
| КТ-89 | Левый нижний вывод | Металлическая задняя стенка | Правый нижний вывод |
На КТ817Г в корпусе КТ-89 маркировка выводов отсутствует.
Предельные электрические параметры: напряжения, токи, мощность
Рассмотрим максимальные электрические характеристики КТ817Г, которые определяют предельную нагрузку, допустимую для транзистора в течение короткого времени:
- Напряжение коллектор-эмиттер - 100 В
- Напряжение база-эмиттер - 5 В
- Постоянный ток коллектора - 3 А
- Импульсный ток коллектора - до 6 А
- Ток базы - 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора: с радиатором - 25 Вт без радиатора - 1 Вт
Превышение этих предельных значений может привести к выходу транзистора из строя. При длительной работе рекомендуется запас по максимальным параметрам в 1,5-2 раза.
Таблица основных электрических характеристик при комнатной температуре
В даташите производителя приводятся типовые значения основных электрических параметров КТ817Г, измеренные при температуре окружающей среды +25°С:
| Параметр | Обозначение | Значение |
| Ток коллектора | Ик | 800 мА |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Укэ нас | <1 В |
| Ток утечки коллектора | Ик ут | 0,1 мкА |
Полные электрические характеристики КТ817Г можно найти в официальных даташитах производителей.
"кт817г характеристики" - первое упоминание ключевой фразы.
Термические характеристики и рабочие температурные режимы
КТ817Г может эксплуатироваться в диапазоне температур окружающей среды от -60 до +150°С. При этом с ростом температуры максимальная рассеиваемая мощность транзистора уменьшается.
Допустимая температура перехода кристалла составляет +150°С. Превышение этого значения приводит к необратимому повреждению транзистора.
Для обеспечения надежной работы КТ817Г рекомендуется использовать радиатор при рассеиваемой мощности более 1-3 Вт.
КТ817Г - надежный и универсальный транзистор для ремонта и схемотехники.