Транзисторы в SMD-исполнении (поверхностный монтаж) широко применяются при производстве современной радиоэлектронной аппаратуры. Они отличаются компактными размерами и предназначены для автоматизированной установки на печатные платы. Рассмотрим особенности и параметры наиболее распространенных SMD-транзисторов с током коллектора 1А.
Конструктивные особенности
SMD-транзисторы 1АМ выпускаются в нескольких стандартных корпусах:
- SOT23
- SOT89
- SOT223
Наиболее компактный вариант - SOT23 с габаритами не более 3 мм. Этот миниатюрный корпус рассчитан на рабочий ток до 1А. При бо́льших токах используют корпуса SOT89 и SOT223 с увеличенной площадью рассеивания тепла.
Транзистор 1am в корпусе SOT23
Самые распространенные SMD-транзисторы 1А в корпусе SOT23:
- MMBT3904
- BC817
- BC807
Это недорогие биполярные транзисторы общего назначения. Применяются в качестве ключей и усилителей в схемах с невысокими требованиям по току и мощности.
Транзистор MMBT3904 отличается низкой ценой и достаточно стабильными параметрами.
Транзистор 1am MMBT3904 выдерживает непрерывный ток коллектора до 1А и напряжение до 40В. Предельная рассеиваемая мощность составляет 300 мВт. Коэффициент усиления по току hFE варьируется в пределах от 100 до 300.
Транзисторы с улучшенными характеристиками
При более жестких требованиях по мощности и надежности используют транзисторы с улучшенными параметрами на основе техпроцессов LVIC и HVIC:
- BC817-40
- BC807-40
- MMBTA42
Они выдерживают бо́льшие напряжения (до 45-60 В) и обладают лучшей тепловой стабильностью. Рассеиваемая мощность увеличена до 500 мВт. Ток коллектора остается в районе 1 А.
Параметры транзисторов 1am у таких SMD-транзисторов заметно выше, чем у дешевых аналогов типа MMBT3904.
| Параметр | MMBT3904 | BC817-40 |
| Ик макс., А | 1 | 1 |
| Укэ макс., В | 40 | 45 |
| hFE | 100-300 | 250-640 |
MOSFET-транзисторы
Транзистор 1am для силовых применений часто выполняют на основе MOSFET-структуры. Такие полевые SMD-транзисторы обеспечивают минимальные потери в открытом состоянии благодаря низкому значению Rds(on).
Популярные модели:
- IRLML6302
- BSS138
- IRFR5305
MOSFET SMD-транзисторы с рабочим током около 1А выпускаются во всех рассмотренных выше SMD-корпусах - SOT23, SOT89, SOT223. Выбор конкретного корпуса зависит от требуемой рассеиваемой мощности.
Сравнение параметров SMD-транзисторов
Для выбора оптимального варианта SMD-транзистора с током 1А сравним основные параметры рассмотренных ранее моделей.
Наибольшей рассеиваемой мощностью обладают MOSFET-транзисторы в корпусах SOT223 и SOT89. Транзисторы в миниатюрном корпусе SOT23 имеют худшие тепловые характеристики из-за меньшей площади корпуса.
Самым высоким быстродействием отличаются полевые MOSFET-транзисторы, они могут работать на частотах в сотни мегагерц. Биполярные SMD-транзисторы имеют частотные свойства на порядок хуже.
Для усилительных каскадов предпочтительны биполярные транзисторы с высоким коэффициентом усиления по току hFE. MOSFET-транзисторы в этом плане значительно уступают.
Управляющий электрод
Для MOSFET транзисторов управляющим электродом является затвор. У биполярных SMD-транзисторов роль управляющего входа выполняет база.
Ключи
В качестве ключевых элементов чаще используют MOSFET-транзисторы, так как они обеспечивают минимальное падение напряжения в открытом состоянии.
Усилители
Для транзисторных усилителей предпочтительны биполярные SMD-транзисторы, обладающие достаточно высоким коэффициентом усиления.
Генераторы
Благодаря высокому быстродействию полевые SMD-транзисторы хорошо подходят для применения в генераторных схемах СВЧ и высоких частот.
Лидирующие мировые производители SMD-транзисторов с током 1А:
- ON Semiconductor
- STMicroelectronics
- Infineon
- Diodes Incorporated
Качественные SMD-транзисторы 1АМ поставляют также тайваньские и китайские производители: Wuxi, NationStar, KEC.
