Транзистор IRF740 широко используется в современной электронике благодаря уникальному сочетанию характеристик. Давайте подробно разберем его параметры и особенности.
Общее описание транзистора IRF740
IRF740 - это N-канальный мощный полевой транзистор с изолированным затвором производства компании International Rectifier (IR), в настоящее время выпускается под маркой Vishay.
Он способен коммутировать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А, при пороговом напряжении на затворе до 10 В.
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое - 0,55 Ом.
Сравнение с аналогами
Полными зарубежными аналогами IRF740 являются:
- STP11NK40Z (STM)
- D84EQ2 (National Semiconductor)
А также аналог транзистора IRF740 - КП776.
Внешний вид и распиновка
IRF740 выпускается в пластиковом корпусе ТО-220AB со следующей распиновкой:
- Левая ножка - затвор (G)
- Средняя ножка - сток (D)
- Правая ножка - исток (S)
Принцип работы IRF740
Рассмотрим подробно принцип работы полевого транзистора на примере IRF740. Основной режим его работы - режим ключа.
Вольт-амперные характеристики
Вольт-амперные характеристики IRF740 при разных значениях напряжения на затворе приведены на рисунке:
Из графика видно, что с увеличением напряжения затвор-исток Узи выше порогового значения (для IRF740 около 4 В) резко возрастает проводимость транзистора.
Тепловые режимы
Для расчета допустимой мощности рассеяния используют параметры:
- Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc = 1,0°C/W
- Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда Rthca = 25°C/W
Превышение допустимой температуры приводит к выходу транзистора из строя.
Переходные процессы
Переходные процессы в мощных транзисторах типа IRF740 определяют быстродействие и качество переключения нагрузки. К важнейшим параметрам относятся:
- Время нарастания при включении ton
- Время спада при выключении toff
Для IRF740 в типовом режиме:
| Параметр | Значение |
| ton | 25 нс |
| toff | 30 нс |
Быстродействие IRF740 достаточно высокое и позволяет использовать его в импульсных и ВЧ схемах.
Частотные свойства
В мощных транзисторах на эффекте поля частотные свойства определяются в основном паразитными параметрами кристалла, а не свойствами самого полупроводника.
Для IRF740 максимальная частота усиления составляет fT = 13 МГц.
Схемы включения IRF740
Рассмотрим типовые схемы включения транзистора IRF740.
Схема с общим истоком
Позволяет усиливать ток и мощность нагрузки. Недостаток - невысокое входное сопротивление.
"Токовый повторитель"
Выходное напряжение усиливается почти в 100 раз. Высокое входное и низкое выходное сопротивления.
Защита от перенапряжений
Мощные транзисторы требуют надежной защиты от высоковольтных выбросов и перенапряжений, которые могут привести к пробою кристалла.
Для IRF740 в качестве элемента защиты чаще всего используется стабилитрон, включенный параллельно стоку и истоку:
Порог срабатывания стабилитрона выбирают на 10-15% выше максимального рабочего напряжения транзистора.
IRF740 в импульсных источниках питания
Благодаря высоким рабочим напряжениям и токам, а также быстродействию, транзистор часто применяется в импульсных источниках питания в качестве ключа.
К достоинствам можно отнести простоту схемы управления и низкие потери в открытом состоянии ключа.
IRF740 в усилителях мощности
Высокая входная емкость транзистора позволяет использовать его в УМЗЧ диапазона для усиления мощных сигналов:
Обычно IRF740 применяют на частотах не выше 10-15 МГц.
