Транзистор КТ819ГМ - легендарный советский полупроводник, который и сегодня остается популярным благодаря своим уникальным параметрам. Давайте разберемся, чем же так привлекателен этот винтажный компонент и где его можно применить в современных схемах.
Характеристики и параметры КТ819ГМ
Рассмотрим подробные технические характеристики и параметры транзистора КТ819ГМ.
Максимальные предельные значения параметров КТ819ГМ:
- Напряжение коллектор-эмиттер - 100 В
- Напряжение коллектор-база - 100 В
- Постоянный ток коллектора - 15 А
- Импульсный ток коллектора - 20 А
- Постоянный ток базы - 5 А
- Импульсный ток базы - 5 А
- Рассеиваемая мощность - 100 Вт
Эти значения показывают высокие мощностные возможности КТ819ГМ. Например, максимальный ток коллектора в 15 А позволяет коммутировать довольно значительные нагрузки. При этом напряжение в 100 В обеспечивает широкий диапазон рабочих напряжений.
Ниже в таблице приведены электрические параметры КТ819ГМ, замеренные при нормальном режиме работы и температуре 25°С:
| Параметр | Значение | Режим измерения |
| Коэффициент усиления по току (h21э) | 12 | Ик=10А, Иб=0.5А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.0 В | Ик=10А, Иб=0.5А |
| Ток базы | 0.5 А | Укэ=3В, Ик=10А |
Из таблицы видно, что коэффициент усиления КТ819ГМ достаточно низкий для мощного транзистора - всего 12. Это объясняется конструкцией кристалла, оптимизированной для работы с большими токами. Зато напряжение насыщения составляет лишь 1 В при токе коллектора 10 А, что говорит об эффективности этого транзистора в ключевом режиме.
Теперь рассмотрим влияние температуры на основные параметры КТ819ГМ. Повышение температуры приводит к уменьшению коэффициента усиления и увеличению напряжения насыщения коллектор-эмиттер. Поэтому применение радиатора позволяет улучшить частотные характеристики этого транзистора.
Другой важной особенностью КТ819ГМ являются невысокие значения входного и выходного сопротивлений. Это обусловлено оптимизацией конструкции кристалла для работы на низких сопротивлениях нагрузки и усиления мощных сигналов.
Таким образом, КТ819ГМ благодаря своим электрическим параметрам идеально подходит для применения в мощных выходных каскадах звуковых усилителей, импульсных источниках питания и других схемах со значительными токами и напряжениями.
Применение в звуковых усилителях
Одной из основных областей использования КТ819ГМ являются выходные каскады звуковых усилителей. Например, этот транзистор применялся в известных советских усилителях "Вега", "Одиссей", "Аллегро" и многих других.
Благодаря большому току коллектора до 15 А, КТ819ГМ мог коммутировать мощные динамики с сопротивлением 4-8 Ом на большие токи. Это позволяло получать выходную мощность усилителя порядка 100 Вт.
Кроме того, низкое напряжение насыщения всего 1 В обеспечивало минимальные нелинейные искажения. А применение радиатора позволяло улучшить частотную характеристику за счет отвода тепла от кристалла.
Использование в импульсных источниках питания
Еще одной распространенной областью применения КТ819ГМ являются импульсные источники питания, преобразователи напряжения, стабилизаторы.
Высокие допустимые напряжения до 100 В позволяют использовать этот транзистор в преобразователях со значительным входным или выходным напряжением. Например, в импульсных стабилизаторах напряжения на 100-150 В.
Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии, КТ819ГМ обладает малыми потерями в ключевом режиме. Это критично для повышения КПД преобразователей.
Роль КТ819ГМ в стабилизаторах напряжения и тока
Транзистор КТ819ГМ часто применяется в линейных стабилизаторах напряжения и тока благодаря оптимальному сочетанию параметров.
В стабилизаторах напряжения КТ819ГМ используется в качестве регулирующего элемента, работающего по схеме эмиттерного повторителя. Большой диапазон рабочих токов и напряжений позволяет стабилизировать напряжения в широком диапазоне.
В стабилизаторах тока этот транзистор применяется для регулирования тока нагрузки путем шунтирования избыточного тока. Максимальный ток коллектора 15 А дает запас по току для большинства применений.
Обозначение транзистора КТ819ГМ
Транзистор КТ819ГМ имеет следующее условное буквенно-цифровое обозначение:
- КТ - серия кремниевых транзисторов
- 819 - номер типа
- ГМ - модификация в металлостеклянном корпусе
Таким образом, КТ819ГМ полностью соответствует своему названию как кремниевый транзистор 819-й серии, модификация ГМ в металлостеклянном исполнении.
